力晶总经理谢再居10日首度松口表示，力晶产品线只有DRAM这一项，若未来力晶前往大陆设置8吋晶圆厂，将会生产逻辑相关产品，因此，在缺乏产品情况下，力晶将寻求1~2个有产品的策略合作伙伴，共同携手前进大陆设厂，而瑞萨（Renesas）将是可能合作对象。另外，茂德10日亦公告，为投资大陆设立8吋厂所需资金，将增资3,000万美元。谢再居10日指出，力晶等到拥有8A厂的巨晶业务营运上轨道后，力晶将把巨晶成功经验复制至大陆市场，而由于大陆厂将以生产逻辑产品为主，因此，力晶将会寻求1~2个拥有产品能力的合作伙伴携手登陆，而瑞萨确实是可能合作对象之一。事实上，力晶过去在利基型DRAM及闪存(Flash)市场，早与瑞萨有合作关系，亦共同合资成立先进内存设计公司Vantel，投入系统封装模块（SiP）内存研发设计，当初力晶董事长黄崇仁便已指出，力晶未来将以瑞晶为DRAM扩产重心，于新竹自行兴建2座厂为Flash铺路，至于旗下8吋厂规划，考虑年产值还有70~80亿元，因此，力晶不会拆掉现有8吋厂搬迁至大陆，而将寻找策略合作伙伴，强化代工业务实力。黄崇仁当时表示，力晶未来西进大陆不排除与日厂合作，市场便传出由于政府只开放8吋0.18微米制程技术西进，在法令限制下，力晶会以逻辑代工业务为首选，因此，选择与拥有逻辑制程技术、产品及专利的瑞萨合资设厂可能性甚高。此外，茂德10日亦公告将投资其位于重庆8吋厂渝德科技(重庆)，此次投资额为3,000万美元，主要用于产能扩充，而到目前为止茂德投资大陆金额已达到新台币约120亿元，茂德将使用这笔资金做为制造及销售0.18微米以上制程半导体产品。茂德重庆厂无尘室11月可望完工开始装机，预计2008年上半正式量产，初期采买旧设备方式，建置月产能2万片。由于政府在2006年底通过茂德8吋厂登陆案，亦同步开放0.18微米制程西进禁令，茂德会将位于竹科8吋厂设备部分移至该厂，若进度顺利，2008年初就可开始投片生产。新厂落成后，茂德将以LCD驱动IC、电源管理IC、CMOS影像传感器等产品为主，茂德本业DRAM因需要更高阶制程，所以不会在重庆厂投片。茂德竹科8吋厂移至大陆后，原厂就会进行改建工程，2008年后开始移入12吋设备投产DRAM，技术可望由70奈米以下先进制程开始导入，届时茂德在台湾将成为只拥有12吋厂的DRAM厂，可以有效提高经济规模，对降低单位生产成本有很大帮助。